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ललित नक्काशी Sio2 स्पटरिंग लक्ष्य उच्च तापमान प्रतिरोधी नमी सबूत
| प्रोडक्ट का नाम: | उच्च तापमान प्रतिरोधी Sio2 स्पटरिंग लक्ष्य |
|---|---|
| सामग्री: | क्वार्ट्ज ग्लास |
| सतह: | ठंडा करना |
छिद्रित मशीनिंग क्वार्ट्ज ग्लास रिंग आकार का सीएनसी पार्ट्स फ्रॉस्टिंग रंग
| प्रोडक्ट का नाम: | फैक्टरी मूल्य आकार की तरह अंगूठी के आकार का छिद्रित क्वार्ट्ज ग्लास भागों: |
|---|---|
| प्रकार: | सीएनसी क्वार्ट्ज पार्टज़ |
| आवेदन: | सभा |
पाले सेओढ़ लिया सिलिका क्वार्ट्ज निकला हुआ किनारा उच्च रासायनिक शुद्धता लंबी सेवा जीवन
| प्रोडक्ट का नाम: | लांग सर्विस लाइफ के साथ फ्रॉस्टेड फ्यूज्ड सिलिका ग्लास रिंग |
|---|---|
| सामग्री: | क्वार्ट्ज ग्लास |
| सतह: | ठंडा करना |
प्रयोगशाला सीएनसी उच्च परिशुद्धता क्वार्ट्ज निकला हुआ किनारा उच्च तापमान प्रतिरोध
| सामग्री: | उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज ग्लास |
|---|---|
| टाइप: | निकला हुआ |
| आवेदन पत्र: | मशीनरी, प्रयोगशाला, रसायन, चिकित्सा, सौर, लेजर |
वैक्यूम, दबाव, तरल और गैसीय प्रणालियों के लिए क्वार्ट्ज पाइप निकला हुआ किनारा
| सामग्री: | उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज |
|---|---|
| रंग: | पारदर्शी |
| वर्किंग टेम्परेचर: | 1100 ℃ |
घुमावदार शंक्वाकार क्वार्ट्ज ग्लास रॉड दंत इलाज डिवाइस के लिए OEM डिजाइन
| सामग्री: | उच्च शुद्धता क्वार्ट्ज |
|---|---|
| रंग: | पारदर्शी |
| आकार: | आकार और आयाम अनुकूलित |
Lbo लिथियम ट्राइबोरेट क्रिस्टल Lib3o5 फ्रीक्वेंसी दोहरीकरण
| रासायनिक सूत्र: | लिब3ओ5 |
|---|---|
| क्रिस्टल की संरचना: | ऑर्थोरोम्बिक, मिमी 2 |
| सेल पैरामीटर्स: | ए = 8.4473, बी = 7.3788Å, सी = 5.1395Å, जेड = 2 |
Bbo β बेरियम मेटाबोरेट ऑप्टिकल क्रिस्टल मोह कठोरता 4.5-5
| सामग्री: | β बेरियम मेटाबोरेट क्रिस्टल |
|---|---|
| रासायनिक सूत्र: | β- BaB2O4 |
| क्रिस्टल की संरचना: | त्रिपक्षीय क्रिस्टल प्रणाली, 3m बिंदु समूह |
कोवर मिश्र धातु क्वार्ट्ज उपकरण ग्लास और धातु की वेल्डिंग
| सामग्री: | कोवर मिश्र धातु वेल्डिंग और क्वार्ट्ज ग्लास |
|---|---|
| आयाम: | स्वनिर्धारित |
| आवेदन: | इलेक्ट्रॉन डिवाइस |
कोवर मिश्र धातु और क्वार्ट्ज ग्लास ट्यूब वेल्डिंग प्रक्रिया विभिन्न आकार
| सामग्री: | कोवर मिश्र धातु और क्वार्ट्ज ग्लास ट्यूब के विभिन्न आकारों की वेल्डिंग प्रक्रिया |
|---|---|
| आयाम: | रिवाज़ |
| आवेदन: | इलेक्ट्रॉन डिवाइस |